可调谐窄线宽外腔半导体激光器
文献类型：专利
| 作者 | 陈伟; 班德超; 齐艺超; 祝宁华 |
| 专利号 | CN109149358A |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 可调谐窄线宽外腔半导体激光器 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种可调谐窄线宽外腔半导体激光器，包括：一半导体增益芯片，作为激光源；一光波导，与增益芯片位于同一光轴上；一光栅结构，位于光波导之后，并且与增益芯片、光波导位于同一光轴上；一热敏电阻，位于增益芯片和光波导中心线的一侧，避开光路，该热敏电阻位置上靠近增益芯片；一电极，贴在光波导之上；一热沉，增益芯片、热敏电阻、光波导和光栅结构放在同一热沉上；一半导体制冷片，热沉放在同一半导体制冷片上。该发明解决了外腔激光器易受外界环境和注入电流波动而引起的波长抖动和线宽不稳等问题，从而可以实现波长与线宽的精确控制，并且可以实现波长的快速调节。 |
| 公开日期 | 2019-01-04 |
| 申请日期 | 2018-09-21 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43331]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈伟,班德超,齐艺超,等. 可调谐窄线宽外腔半导体激光器. CN109149358A. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。