Growth of planar, non-polar a-plane gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy
文献类型：专利
| 作者 | HASKELL, BENJAMIN A.; FINI, PAUL T.; MATSUDA, SHIGEMASA; CRAVEN, MICHAEL D.; DENBAARS, STEVEN P.; SPECK, JAMES S.; NAKAMURA, SHUJI |
| 专利号 | US20060008941A1 |
| 著作权人 | THE JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY CENTER |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | Growth of planar, non-polar a-plane gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy |
| 英文摘要 | Highly planar non-polar a-plane GaN films are grown by hydride vapor phase epitaxy (HVPE). The resulting films are suitable for subsequent device regrowth by a variety of growth techniques |
| 公开日期 | 2006-01-12 |
| 申请日期 | 2003-07-15 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43460]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | THE JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY CENTER |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | HASKELL, BENJAMIN A.,FINI, PAUL T.,MATSUDA, SHIGEMASA,et al. Growth of planar, non-polar a-plane gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy. US20060008941A1. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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