GaN系化合物半導体装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 西尾 譲司; 藤本 英俊 |
| 专利号 | JP1999238935A |
| 著作权人 | TOSHIBA CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | GaN系化合物半導体装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 窒化ガリウム系半導体薄膜成長では、ナノパイプと呼ばれることもある比較的大きな結晶欠陥等に起因する結晶性および表面モフォロジーが劣悪であるという問題がある。 【解決手段】 未発明は基板上にGaxAl1-xN(0≦x≦1)からなる第1のバッファ層設けたGaN系化合物半導体装置などその製造方法を特徴とする。 |
| 公开日期 | 1999-08-31 |
| 申请日期 | 1998-02-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43605]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | TOSHIBA CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 西尾 譲司,藤本 英俊. GaN系化合物半導体装置及びその製造方法. JP1999238935A. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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