化合物半導体素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 細羽 弘之; 中村 淳一; 倉橋 孝尚 |
| 专利号 | JP1998163524A |
| 著作权人 | SHARP CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 化合物半導体素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 成長時における格子不整合を抑制でき、結果的に特性を向上できる化合物半導体素子を提供する。 【解決手段】 MOCVD法により、n-GaAs基板1上にn-GaAsバッファ層2を0.5μm、n-AlGaInPクラッド層3を0μm、GaInP活性層4を0.05μm、p-AlGaInPクラッド層5を0μm、p-GaInPキャップ層6を0.1μm及びn-GaAsブロック層7を0.5μm順次積層成長する。この成長工程は、AlGaInPクラッド層3,5、GaInP活性層4、GaInPキャップ層6が成長温度(例えば、750℃)でGaAs(GaAs基板1及びGaAsバッファ層2)に格子整合するように行う。 |
| 公开日期 | 1998-06-19 |
| 申请日期 | 1996-11-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43614]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SHARP CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 細羽 弘之,中村 淳一,倉橋 孝尚. 化合物半導体素子及びその製造方法. JP1998163524A. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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