化合物半導体レーザ素子およびその光出力端面の劣化防止方法
文献类型：专利
| 作者 | 高森 毅; 上條 健 |
| 专利号 | JP1998022569A |
| 著作权人 | 沖電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 化合物半導体レーザ素子およびその光出力端面の劣化防止方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 歩留の高い方法で、光出力端面の自然酸化膜を除去し、さらに自然酸化膜の再形成を防ぐことができるような化合物半導体レーザ素子。 【解決手段】 III-V族化合物からなる層を有する化合物半導体レーザ素子においてこの素子の光出力端面29a、29bはその光出力端面に対して強制酸化を行うことにより形成したIII族元素の酸化物からなる強制酸化層30a、30bを具えている。 |
| 公开日期 | 1998-01-23 |
| 申请日期 | 1996-07-04 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43621]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 沖電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高森 毅,上條 健. 化合物半導体レーザ素子およびその光出力端面の劣化防止方法. JP1998022569A. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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