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集積化半導体レーザ及びその製造方法並びに実装方法

文献类型:专利

作者高橋 博之
专利号JP2010087209A
著作权人OKI ELECTRIC IND CO LTD
国家日本
文献子类发明申请
其他题名集積化半導体レーザ及びその製造方法並びに実装方法
英文摘要【課題】変調器領域とレーザ領域とをバットジョイント接合させることにより、導波路幅の設計の自由度が高められ、変調器領域に曲がり導波路構造が設けられることにより、レーザ光の出射端面での反射率が低減され、及び、実装用マーカを直線状パターンにすることにより、精度の良い角度合わせをする。 【解決手段】変調器領域22とレーザ領域24とがバットジョイント接合された半導体基板と、レーザ領域に形成された半導体レーザと、変調器領域に形成された曲がり導波路と、変調器領域に形成された実装用マーカ74とを備えていて、実装用マーカが直線パターンで形成されている。 【選択図】図1
公开日期2010-04-15
申请日期2008-09-30
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43629]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位OKI ELECTRIC IND CO LTD
推荐引用方式
GB/T 7714
高橋 博之. 集積化半導体レーザ及びその製造方法並びに実装方法. JP2010087209A.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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