Liquid phase epitaxial growth towards the top of alxga11xas base
文献类型：专利
| 作者 | HORIKOSHI YOSHIHARU; FURUKAWA YOSHITAKA |
| 专利号 | JP1976114067A |
| 著作权人 | NIPPON TELEGRAPH & TELEPHONE |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | Liquid phase epitaxial growth towards the top of alxga11xas base |
| 英文摘要 | PURPOSE:Liquid phase epitaxial growth conducted in an atmosphere containing halogen compounds to promote growth of ALyCa1-yAs(or GaAs) on an ALxGa1xAs base without meltback process. |
| 公开日期 | 1976-10-07 |
| 申请日期 | 1975-04-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43630]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGRAPH & TELEPHONE |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | HORIKOSHI YOSHIHARU,FURUKAWA YOSHITAKA. Liquid phase epitaxial growth towards the top of alxga11xas base. JP1976114067A. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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