電界効果型光変調器および半導体光素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 川西 秀和 |
| 专利号 | JP2001142037A |
| 著作权人 | 沖電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 電界効果型光変調器および半導体光素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 光導波路の温度上昇の抑制により高光入力耐性を実現したEA変調器を提供する。 【解決手段】 EA-DFB100は,EA変調器領域102と分離領域104とDFB領域106とを備えている。EA-DFB100には,EA変調器領域102の光導波路120両脇に金属薄膜182が形成されている。金属薄膜182は,光導波路120の光入力端120a付近で局所的に大きな光吸収が生じた場合に当該光入力端120a付近を冷却するとともに,光導波路120全体を冷却する。EA変調器領域102では,かかる金属薄膜182の作用により,光導波路120の温度上昇による破損を防止することができる。 |
| 公开日期 | 2001-05-25 |
| 申请日期 | 1999-11-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43634]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 沖電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 川西 秀和. 電界効果型光変調器および半導体光素子の製造方法. JP2001142037A. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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