氮化物半導體發光元件
文献类型：专利
| 作者 | 大野彰仁; 本恭介 |
| 专利号 | TW200845436A |
| 著作权人 | 三菱電機股份有限公司 |
| 国家 | 中国台湾 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 氮化物半導體發光元件 |
| 英文摘要 | [課題]本發明係有關於抑制作動電壓之氮化物半導體發光元件,並以提供一種適用於在低電壓下之利用且由氮化物系半導體構成的半導體雷射或發光二極體等發光元件。[解決手段]本發明一實施例提供一種氮化物半導體發光元件。該氮化物半導體發光元件包括:p型接觸層28;p型中間層26,形成於該p型接觸層28之下層;以及p型披覆層24,形成於該p型中間層之下層;其中,該p型接觸層28與該p型中間層26間、及該p型中間層26與該p型披覆層24間之能帶差係分別為200meV以下。 |
| 公开日期 | 2008-11-16 |
| 申请日期 | 2008-04-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43639]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大野彰仁,本恭介. 氮化物半導體發光元件. TW200845436A. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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