結晶改善された化合物半導体デバイスの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 宮沢 誠一; 水谷 夏彦 |
| 专利号 | JP1993275813A |
| 著作权人 | キヤノン株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 結晶改善された化合物半導体デバイスの製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 低温成長された化合物半導体デバイスの結晶改善を行う。 【構成】 例えば、少なくともIII族とV族とを含む化合物半導体を、基板温度を500°C以下で真空蒸着により成長させて半導体膜を形成する。低温成長されたこの半導体デバイスの結晶改善を行うために、これを水素などを含む還元雰囲気中で熱処理する。低温成長された半導体デバイスの結晶積層膜の中に電流を流すことで結晶改善してもよい。 |
| 公开日期 | 1993-10-22 |
| 申请日期 | 1992-03-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43647]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | キヤノン株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宮沢 誠一,水谷 夏彦. 結晶改善された化合物半導体デバイスの製造方法. JP1993275813A. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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