半導体レーザダイオード及びその製造方法並びに半導体レーザダイオードアレイ
文献类型：专利
| 作者 | 杵築 弘隆 |
| 专利号 | JP1994152074A |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザダイオード及びその製造方法並びに半導体レーザダイオードアレイ |
| 英文摘要 | 【目的】 放熱特性に優れた、高出力,長寿命の選択PHS構造半導体レーザダイオード及び選択PHS構造半導体レーザダイオードアレイを得る。 【構成】 半導体基板の第1の面上にレーザダイオード構造の活性領域を有し、上記半導体基板の第2の面に選択的に埋め込まれたPHS電極を備えた半導体レーザダイオードにおいて、レーザダイオード構造の活性領域が半導体基板より内側の領域に形成されており、上記活性領域の共振器方向の長さをA、上記PHS電極の共振器方向の長さをBとしたときにA≦Bとなるように構成し、さらに半導体基板のレーザ発光端面より外側の領域をレーザ光のビーム広がりの領域に入らないような角度でテーパ状に加工して構成する。 |
| 公开日期 | 1994-05-31 |
| 申请日期 | 1993-01-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43650]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杵築 弘隆. 半導体レーザダイオード及びその製造方法並びに半導体レーザダイオードアレイ. JP1994152074A. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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