半導体レ—ザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 山本 基幸; 佐藤 文明 |
| 专利号 | JP1995193319A |
| 著作权人 | TOSHIBA CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レ—ザ素子 |
| 英文摘要 | 【目的】この発明は1回の結晶成長で内部電流狭窄構造と屈折率ガイド構造が得られ、信頼性の高い廉価な半導体レ—ザ素子を提供しようとするものである。 【構成】(100)結晶面にほぼ一致する高低二つの主面112,113 と、(111結晶面にほぼ一致する傾斜面114 とを有するn型GaAs基板102 と、主面112,113上で電流を通し難く、傾斜面114 上で電流を通し易い性質を有する内部電流狭窄形のp型InGaAlP 系のクラッド層105 と、主面112,113 上での屈折率と傾斜面114 上方での屈折率とが互いに異なる屈折率ガイド形のn型InGaAlP 系光導波層108 を有することを主要な特徴としている。この構成であると、主面112,113 と傾斜面114 とを有する基板102 を有するので、この基板上に順次形成された結晶層において、その性質を主面上と傾斜面上とで変えることができ、1回の結晶成長で、内部電流狭窄構造と屈折率ガイド構造を得ることができる。 |
| 公开日期 | 1995-07-28 |
| 申请日期 | 1993-12-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43654]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | TOSHIBA CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山本 基幸,佐藤 文明. 半導体レ—ザ素子. JP1995193319A. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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