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半導体レーザ光反射素子

文献类型:专利

作者上西 祐司
专利号JP1994037402A
著作权人NIPPON TELEGR & TELEPH CORP
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザ光反射素子
英文摘要【目的】 半導体レーザの出射光ビームの水平、垂直両方向への拡がりを反射光学系により2次元的に整形、集光あるいはコリメートすることができる半導体レーザ光反射素子を提供すること。 【構成】 半導体レーザ基板2またはヒートシンク基板に、半導体レーザLDの光出射点を焦点の1つとする楕円、放物線あるいは双曲線等による2次曲面形状を形成して、半導体レーザ光反射素子1とする。
公开日期1994-02-10
申请日期1992-07-20
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43666]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位NIPPON TELEGR & TELEPH CORP
推荐引用方式
GB/T 7714
上西 祐司. 半導体レーザ光反射素子. JP1994037402A.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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