半導体レーザダイオードおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 大竹 茂行 |
| 专利号 | JP1993048215A |
| 著作权人 | 富士ゼロツクス株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザダイオードおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | (修正有) 【目的】 活性層の横幅が選択成長領域である窓部のストライプ幅よりも狭い半導体レーザーダイオードを制御性良く容易に作製する。 【構成】 半導体結晶基板11上の特定結晶面13上に、半導体のエピタキシャル成長が困難な第1領域と、そのの第1領域にはさまれ半導体のエピタキシャル成長が可能なストライプ状の第2の領域とを有し、その第2の領域上に形成されたクラッド層16と導波路層17と活性層18とを有する半導体レーザダイオードにおいて、前記クラッド層が前記特定の結晶面に平行状に形成された第1の結晶面と、その第1の結晶面と交差し斜面を形成する第2の結晶面とを有し、導波路層および活性層の各々の層に対して前記第2の結晶面上の各々の層の厚さが前記第1の第1の結晶面上の各々の層の厚さよりも薄く、その第1の結晶面上の各々の層の幅が前記ストライプ状の第2の領域の幅よりも狭い。 |
| 公开日期 | 1993-02-26 |
| 申请日期 | 1991-08-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43668]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士ゼロツクス株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大竹 茂行. 半導体レーザダイオードおよびその製造方法. JP1993048215A. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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