発光素子用エピタキシャルウェハ
文献类型：专利
| 作者 | 竹内 隆 |
| 专利号 | JP2006253220A |
| 著作权人 | HITACHI CABLE LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 発光素子用エピタキシャルウェハ |
| 英文摘要 | 【課題】 ダミー成長を実施することなくメモリー効果を低減することができ、その結果としてデバイス特性を向上させることのできる発光素子用化合物半導体結晶の構造を提供することにある。 【解決手段】 加熱した基板上にIII族およびV族原料ガス、ドーピング原料及びキャリアガスを供給し、基板上に化合物半導体結晶を気相成長することにより、n型基板1上に少なくともn型クラッド層3、活性層4、p型クラッド層5及びZnをドープしたp型キャップ層6を順次積層した半導体発光素子用化合物半導体結晶において、上記p型キャップ層6の上にさらに化合物半導体結晶から成るZnメモリー効果低減層を少なくとも1層積層した構造とする。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2006-09-21 |
| 申请日期 | 2005-03-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43677]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI CABLE LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 竹内 隆. 発光素子用エピタキシャルウェハ. JP2006253220A. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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