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半導体導波路型光デバイスの製造方法

文献类型:专利

作者麦野 明; 小沢 章一; 柳川 久治
专利号JP1996005853A
著作权人古河電気工業株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体導波路型光デバイスの製造方法
英文摘要【目的】 機能が異なる導波路部の突合わせ接続構造を有し、その突合わせ接続部における損失が小さい導波路型光デバイスの製造方法を提供する。 【構成】 この製造方法では、同一の基板1の上で、当該基板1を共通にする所定層構造の第1導波路部A1 と別の層構造の第2導波路A2 とを互いの接続面B1 で突合わせ接続して導波路型光デバイスを製造する際に、基板1の表面に第1導波路部A1 と同一層構造の薄膜体を形成したのち、第1導波路部A1 に相当する薄膜体部分以外の薄膜体部分をエッチング除去して前記基板の表面を露出させ、ついで、前記基板の露出表面に第2導波路部A2 と同一層構造の薄膜体を形成して第1導波路部と第2導波路部とを互いの接続面B1 で突合わせ接続し、その突合わせ接続部の境界表面またはその近傍に突起した結晶の異常成長部16を除いた表面にレジストマスク17を形成したのちエッチング処理を施して異常成長部16を除去する。
公开日期1996-01-12
申请日期1994-06-17
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43692]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位古河電気工業株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
麦野 明,小沢 章一,柳川 久治. 半導体導波路型光デバイスの製造方法. JP1996005853A.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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