半導体発光素子とその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 大矢 昌輝 |
| 专利号 | JP1999163463A |
| 著作权人 | NEC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子とその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 信頼性が高く、動作電流が低く、高耐圧のAlGaInP可視光半導体レーザ素子の構造と、その半導体レーザ素子を高い歩留まりで作製できる製造方法を提供する。 【解決手段】 Alを含むダブルヘテロ構造上に、Alを含まないGaInP保護層を設け、その上に2本のストライプ状のマスクを形成し、選択成長によりメサおよびメサ脇の平坦部を形成し、メサおよび平坦部を覆うように電極を設けることを特徴とする。また、第1導電型GaAs基板上に、第1導電型AlGaInPクラッド層、活性層、第1の第2導電型AlGaInPクラッド層を含んで成るダブルヘテロ構造と、該構造上に、第2導電型GaInP保護層と、該保護層上に、第2の第2導電型AlGaInPクラッド層、第2導電型GaInP中間層、第2導電型GaAsコンタクト層を含んで成るストライプ状のメサを有することを特徴とする。 |
| 公开日期 | 1999-06-18 |
| 申请日期 | 1997-11-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43716]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NEC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大矢 昌輝. 半導体発光素子とその製造方法. JP1999163463A. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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