半導体レーザ構造
文献类型：专利
| 作者 | 黒須 健; 古屋 貴士 |
| 专利号 | JP2004104007A |
| 著作权人 | HITACHI CABLE LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ構造 |
| 英文摘要 | 【課題】半導体レーザの活性層における発光波長の面内均一性を向上する。 【解決手段】含有率を変化させたときに、活性層の面内における誘導放出光の波長差は実質的に変化させない一方、該誘導放出光の広がり角は変化させる広がり角制御用物質を材料として含むN型クラッド層を、層歪を生じない厚みとなるよう薄膜化し、この薄膜化に起因する広がり角の増大は、当該広がり角制御物質の含有率を調整することによって相殺し又は減殺する。 【選択図】 図4 |
| 公开日期 | 2004-04-02 |
| 申请日期 | 2002-09-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43719]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI CABLE LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黒須 健,古屋 貴士. 半導体レーザ構造. JP2004104007A. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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