リッジ導波路型半導体素子の形成方法
文献类型：专利
| 作者 | 小林 正男 |
| 专利号 | JP1997064467A |
| 著作权人 | 沖電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | リッジ導波路型半導体素子の形成方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 リッジ幅を精度良く制御できるリッジ導波路型半導体素子の形成方法を提供する。 【解決手段】 下地10上に活性層14、上側クラッド層16、コンタクト層18aおよびエッチングマスク20を順次形成した後、エッチングマスク20を用いて活性層14と上側クラッド層16との接合面15に垂直な方向から異方性エッチングを行ってエッチングマスク以外に露出しているコンタクト層18から上側クラッド層16の厚さの一部分までを除去する工程と、異方性エッチングで残存している上側クラッド層部分16aの相対向する側壁が接合面まで(111)面となるようにウエットエッチングを行って残存している上側クラッド層部分16bの周囲を除去して中心部にリッジ型クラッド層を残存させる工程とを含む。 |
| 公开日期 | 1997-03-07 |
| 申请日期 | 1995-08-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43722]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 沖電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小林 正男. リッジ導波路型半導体素子の形成方法. JP1997064467A. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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