双方向光半導体装置
文献类型：专利
| 作者 | 光田 昌弘; 西川 透; 宇野 智昭 |
| 专利号 | JP2006126875A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 双方向光半導体装置 |
| 英文摘要 | 【課題】光導波路を有する基板、半導体発光素子と、光分岐器と及び半導体受光素子が一体化されてなる双方向光半導体装置において、装置全体の小型化と光アイソレーションの向上との両立を図る。 【解決手段】シリコン基板12の上面に半導体レーザ素子13が固定され、ガラス基板14の溝部14aには光ファイバ15が埋め込まれている。ガラス基板14には光軸に対して所定の角度を持つ光分岐器16が挿入されており、該光分岐器16は、半導体レーザ素子13から出射された出力信号光を通過させる一方、光ファイバ15に入力された入力信号光をガラス基板14の反対側に導く。ガラス基板14の上面には、受光素子17が固定され、該受光素子17における受光部を除く下面、レーザ素子側の側面、反レーザ側の側面及び上面に遮光性樹脂22が塗布されており、半導体レーザ素子13から出射されて受光素子17に向かう光は遮光性樹脂22によって遮断される。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2006-05-18 |
| 申请日期 | 2006-02-02 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43723]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 光田 昌弘,西川 透,宇野 智昭. 双方向光半導体装置. JP2006126875A. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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