量子井戸構造を有する化合物半導体層の成長方法及び化合物半導体薄膜積層構造の形成方法
文献类型：专利
| 作者 | 石川 秀人; ヤン·ルベレゴ; 奥洞 明彦 |
| 专利号 | JP1995094430A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 量子井戸構造を有する化合物半導体層の成長方法及び化合物半導体薄膜積層構造の形成方法 |
| 英文摘要 | 【目的】量子井戸構造を有する化合物半導体層の結晶成長において限りなく急峻で平坦な界面を得ることができる化合物半導体成長方法を提供する。 【構成】本発明の化合物半導体層の成長方法は、井戸層と障壁層から成る量子井戸構造を有する化合物半導体層を、有機金属気相成長法(MOCVD法)による化合物半導体のエピタキシャル成長によって基板上に成長させる方法であって、井戸層をエピタキシャル成長させた後、障壁層を形成するための原料の一部の供給を中断して、一定期間の間、障壁層のエピタキシャル成長を停止させることを特徴とする。 |
| 公开日期 | 1995-04-07 |
| 申请日期 | 1994-01-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43724]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 石川 秀人,ヤン·ルベレゴ,奥洞 明彦. 量子井戸構造を有する化合物半導体層の成長方法及び化合物半導体薄膜積層構造の形成方法. JP1995094430A. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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