III-V族混晶半導体を用いた半導体装置の製造方法及び光通信システム
文献类型：专利
| 作者 | 近藤 正彦; 北谷 健; 田中 俊明 |
| 专利号 | JP2001024282A |
| 著作权人 | HITACHI LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | III-V族混晶半導体を用いた半導体装置の製造方法及び光通信システム |
| 英文摘要 | 【課題】良好な結晶性を有するGaInNAs等のNを含むIII-V族混晶半導体を用いた半導体装置の製造方法を提供すること。 【解決手段】n-GaAs基板1上に、水素の存在しない環境下で、水素を含まない原料として金属ガリウム、金属インジウム及び金属ヒ素を用い、かつ、ラジオフレケンシー法で励起した窒素を原料として、n-GaAsバッハァ層2、n-Al0.3Ga0.7Asクラッド層3、GaInNAsからなる歪単一量子井戸活性層4を形成する。 |
| 公开日期 | 2001-01-26 |
| 申请日期 | 1999-07-09 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43732]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 近藤 正彦,北谷 健,田中 俊明. III-V族混晶半導体を用いた半導体装置の製造方法及び光通信システム. JP2001024282A. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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