半導体量子井戸構造体を有する半導体装置の製法
文献类型：专利
| 作者 | 西田 敏夫; 杉浦 英雄; 納富 雅也; 玉村 敏昭 |
| 专利号 | JP1993144732A |
| 著作权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体量子井戸構造体を有する半導体装置の製法 |
| 英文摘要 | (修正有) 【目的】 半導体基板上に側面に損傷を有しない半導体量子井戸構造体を、所期の幅で高精度微細に形成する。 【構成】 n型InP基板11上にSiO2の誘電体マスク材層をスパッタ法で形成し、その上にフォトレジストのマスク層13を形成する。次にこれをマスクとしてエッチングにより、半導体量子井戸構造体20に対応するパターンを有し基板を外に臨ませる窓16有する誘電体マスク層15を形成した後、マスク層13を剥離除去する。次に成長条件を適当に選定した有機金属分子線エピタキシャル成長法により、誘電体マスク層15の窓16に臨む基板領域上に、InPバリア層21とInGaAs系井戸層22及びInPバリア層23からなる積層体を形成し半導体井戸構造体20を形成する。誘電体マスク層15をエッチング除去した後、基板上にInPからなる量子井戸構造体の埋込用半導体層を、上面が平坦になる厚さに形成し、その上にP型InP層を形成する。 |
| 公开日期 | 1993-06-11 |
| 申请日期 | 1991-03-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43735]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 西田 敏夫,杉浦 英雄,納富 雅也,等. 半導体量子井戸構造体を有する半導体装置の製法. JP1993144732A. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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