半導体レーザ素子、その製造方法及び光学部品
文献类型：专利
| 作者 | 蛭川 秀一; 大林 健 |
| 专利号 | JP2001044565A |
| 著作权人 | SHARP CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子、その製造方法及び光学部品 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体レーザ素子の再成長界面の酸化を抑制し、信頼性を向上することを課題とする。 【解決手段】 BH構造を有する半導体レーザ素子において、活性領域および活性領域近傍の側面を、(lmn)B面(l、m、nはゼロを含まない整数)からなる結晶面方位にする。 |
| 公开日期 | 2001-02-16 |
| 申请日期 | 1999-07-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43736]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SHARP CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 蛭川 秀一,大林 健. 半導体レーザ素子、その製造方法及び光学部品. JP2001044565A. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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