面発光型半導体レーザ装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 中尾 宏; 西川 祐司 |
| 专利号 | JP1997246668A |
| 著作权人 | FUJITSU LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 面発光型半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 面発光型半導体レーザ装置及びその製造方法に関し、面発光型半導体レーザ装置に於ける活性層及び該活性層を挟むクラッド層にのみ電流が流れるように、そして、例えば半導体積層構造からなるミラーを用いた場合であっても、その抵抗は電流に無関係となるようにして消費電力を低減し、面発光型半導体レーザ装置の実用化を促進しようとする。 【解決手段】 例えばGaAsなどの半導体と略格子整合する例えばNi過剰組成のNiAlなどの単結晶金属からなり且つレーザ発振させる為のキャビティを構成するn+ コンタクト層27、n側クラッド層28、量子井戸活性層29、p側クラッド層30、p+ コンタクト層31などの積層半導体層に連なってレーザ発振に於けるミラーの作用をするn側金属電極26及びp側金属電極32が形成される。 |
| 公开日期 | 1997-09-19 |
| 申请日期 | 1996-03-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43738]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中尾 宏,西川 祐司. 面発光型半導体レーザ装置及びその製造方法. JP1997246668A. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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