II-VI族化合物半導体装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 近藤 真人; 倉又 朗人; 堀野 和彦 |
| 专利号 | JP1995263347A |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | II-VI族化合物半導体装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 II-VI族化合物半導体にp型不純物を高濃度にドーピングし、かつ2次元的にp型領域とn型領域とをパターニングして形成する半導体装置の製造技術を提供する。 【構成】 (111)B面から±10°以内の傾きをもつ面方位を有する面が表出した化合物半導体表面上に、結晶成長中の表面の化学量論組成に関して表面がVI族安定化面となりVI族原子が表面に約1原子層あるいは1原子層よりも多い量だけ付着している条件の下で、アクセプタとして窒素を含むII-VI族化合物半導体層をエピタキシャル成長する工程を含む。また、化合物半導体表面は、(111)B面の他に当該成長条件において(100)面よりも不純物取り込み量の多い面方位を有する面が表出しているものでもよい。 |
| 公开日期 | 1995-10-13 |
| 申请日期 | 1994-03-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43740]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 近藤 真人,倉又 朗人,堀野 和彦. II-VI族化合物半導体装置及びその製造方法. JP1995263347A. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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