光システム、光モジュールおよびこれに適した半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 中原 宏治; 芳賀 徹; 豊中 隆司; 魚見 和久 |
| 专利号 | JP1999238942A |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光システム、光モジュールおよびこれに適した半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】埋込型半導体レーザ装置を光源に用いた光システムのより高速化を図る。埋込型半導体レーザ装置におけるp型InP埋込層の不純物濃度が高いと信頼性が劣化し、不純物濃度が低いと高温時のレーザ特性が低下するという問題があった。 【解決手段】メサストライプ構造を有する埋込型半導体レーザ装置におけるメサストライプ構造近傍の埋込層の不純物濃度を低濃度に、より外側の埋込層を高濃度に設定する。 |
| 公开日期 | 1999-08-31 |
| 申请日期 | 1998-02-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43765]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中原 宏治,芳賀 徹,豊中 隆司,等. 光システム、光モジュールおよびこれに適した半導体レーザ装置. JP1999238942A. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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