化合物半導体素子
文献类型：专利
| 作者 | 大場 康夫; 波多野 吾紅 |
| 专利号 | JP1995254751A |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 化合物半導体素子 |
| 英文摘要 | 【構成】 基板11上に、それぞれIII-V 族化合物半導体からなるn型クラッド層13、活性層14及びp型クラッド層15が順次形成されてなるダブルヘテロ接合構造部を有する化合物半導体素子において、p型クラッド層15の形成前よりあらかじめMg原料を供給することで、p型クラッド層15にドープされるMgの濃度を活性層14との界面近傍で1x1017cm-3以上1x1019cm-3以下の範囲内に制御する。 【効果】 発光効率が良好で低い動作電圧でも高輝度の発光を示し、かつ充分な素子寿命を有する発光性能の優れた発光デバイスが得られる。 |
| 公开日期 | 1995-10-03 |
| 申请日期 | 1994-03-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43773]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大場 康夫,波多野 吾紅. 化合物半導体素子. JP1995254751A. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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