半導体素子および半導体レーザならびにそれらの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 浅野 竹春; 朝妻 庸紀; 日野 智公; 池田 昌夫 |
| 专利号 | JP2000040856A |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体素子および半導体レーザならびにそれらの製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 製造が容易でかつ共振器端面の平坦度を高くすることができる半導体レーザおよびその製造方法を提供する。 【解決手段】 サファイアよりなる基板1にバッファ層2を介してGaNよりなる下地層3を形成したのち、下地層3の方向に延長された開口部4aを有するマスク層4を介してGaNよりなる被覆成長層5を成長させる。その上にIII族ナイトライド化合物半導体よりなるn型クラッド層7,活性層9,p型クラッド層11などを積層する。共振器方向Bを下地層3の方向としてマスク開口延長方向Aと90度異ならせ、共振器方向Bに一対の共振器端面16,17をそれぞれ形成する。よって、発光領域をマスク層4に合わせて位置合わせする必要がない。また、共振器方向Bに位置する共振器端面16,17を劈開により形成することができ、容易に平坦度を高くできる。 |
| 公开日期 | 2000-02-08 |
| 申请日期 | 1998-07-23 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43785]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 浅野 竹春,朝妻 庸紀,日野 智公,等. 半導体素子および半導体レーザならびにそれらの製造方法. JP2000040856A. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。