半導体LDエピ構造及び半導体LD
文献类型：专利
| 作者 | 黒須 健 |
| 专利号 | JP2008198858A |
| 著作权人 | HITACHI CABLE LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体LDエピ構造及び半導体LD |
| 英文摘要 | 【課題】従来技術にある問題点を解消し、活性層PL波長のエピウエハ面内分布が小さい半導体LDエピ構造を提供する。 【解決手段】基板2上に、Nクラッド層4、活性層5、Pクラッド層6を含む多層の薄膜結晶を積層した半導体LDエピ構造1において、Nクラッド層4を500nm以上、1000nm未満に薄膜化したものである。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2008-08-28 |
| 申请日期 | 2007-02-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43788]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI CABLE LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黒須 健. 半導体LDエピ構造及び半導体LD. JP2008198858A. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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