III族窒化物半導体光素子
文献类型：专利
| 作者 | 笹岡 千秋 |
| 专利号 | JP2006121107A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | III族窒化物半導体光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】III族窒化物半導体を容易に加工することのできる技術により実現される新規な素子構造を提供する。 【解決手段】半導体レーザは、p型GaNガイド層307と、p型GaNガイド層307上に形成された、AlN層である電流狭窄層308と、電流狭窄層308の開口部を埋め込むように形成されたp型クラッド層309とを有する。 【選択図】図3 |
| 公开日期 | 2006-05-11 |
| 申请日期 | 2006-01-06 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43789]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 笹岡 千秋. III族窒化物半導体光素子. JP2006121107A. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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