分布帰還型半導体レーザ装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 奥田 肇 |
| 专利号 | JP1993235463A |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 分布帰還型半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 安定した単一縦モード発振を行うことができる上に、高温発振が可能でかつ、特性が均一な半導体レーザ装置とその製造方法を提供する点。 【構成】 光導波路層をInGaAlP,クラッドをInGaAlP で構成することにより、選択エッチングを可能とすることにより、リッジを再現性良く形成できるようにして、単一縦モードのレーザ発振を安定して行うことができると共に、特性が均一な半導体レーザ装置と、これを高い歩留まりで製造する方法を提供する。 |
| 公开日期 | 1993-09-10 |
| 申请日期 | 1992-02-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43818]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 奥田 肇. 分布帰還型半導体レーザ装置及びその製造方法. JP1993235463A. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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