波長多重用半導体光デバイスとその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 笠原 健一; 菅生 繁男 |
| 专利号 | JP1995030146A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 波長多重用半導体光デバイスとその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 WDM光エンターコネクション用の個々に発振波長の異なった面発光レーザアレイと、その波長のみを受けるフォトディテクタアレイを実現する。 【構成】 一回の成長で面発光レーザ側のエピ層のn-DBR層102、活性層103、P-DBR層104を形成し、その上にエッチング分離用のAlAs層105を成長し、更に二重共振器フォトディテクター側のエピ層となるP-DBR層106、光吸収層107、二重共振器層108、カバー層109を成長する。一回の成長でこれらを作るので面発光レーザ側と二重共振器フォトディテクター側の共振ピーク波長は、各ペアで完全に一致させることができる。次にフォトディテクター側の成長層を別のn-GaAs基板110に転写し、別々のプロセスで面発光レーザアレイに二重共振器フォトディテクターアレイを作製する。 |
| 公开日期 | 1995-01-31 |
| 申请日期 | 1993-07-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43830]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 笠原 健一,菅生 繁男. 波長多重用半導体光デバイスとその製造方法. JP1995030146A. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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