光位相制御素子および半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 吉田谷 弘明 |
| 专利号 | JP2010109237A |
| 著作权人 | ANRITSU CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光位相制御素子および半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】位相制御領域におけるキャリアの再結合および再結合に起因する光学利得を抑制し、電力消費を低減することができる光位相制御素子および半導体発光素子を提供する。 【解決手段】n型InPからなる半導体基板11と、半導体基板11上に形成されたSiドープされたn型InPからなるn型クラッド層12と、n型クラッド層12上に形成され、入射された光の位相を変化させる活性導波路層13と、活性導波路層13上に形成されたZnドープされたp型InPからなるp型クラッド層14と、を備え、活性導波路層13は、4層のGaInAsPからなる電子閉じ込め層131と4層のAlGaInAsからなるホール閉じ込め層132が1層ずつ交互に積層された構造を有する。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2010-05-13 |
| 申请日期 | 2008-10-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43834]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ANRITSU CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吉田谷 弘明. 光位相制御素子および半導体発光素子. JP2010109237A. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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