窒化ガリウム系化合物半導体素子
文献类型：专利
| 作者 | 柴田 直樹; 上村 俊也; 小出 康夫; 村上 正紀 |
| 专利号 | JP2000082843A |
| 著作权人 | 豊田合成株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化ガリウム系化合物半導体素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 接触抵抗率を低下させること。 【解決手段】サファイア基板1の上、順次、AlN から成るバッファ層2、シリコン(Si)ドープのGaN から成る高キャリア濃度n+ 層3、Siドープのn型Al0.07Ga0.93N から成るnクラッド層4、Siドープのn型GaN からなるnガイド層5、膜厚約 4nmのGa0.97In0.03N から成るバリア層62と膜厚約 2nmのGa0.9In0.1N から成る井戸層61とが交互に積層され、最上層を膜厚約 4nmのGa0.97In0.03N とする多重量子井戸構造(MQW) の活性層6、MgドープGaN から成るpガイド層7、MgドープAl0.07Ga0.93N から成るpクラッド層8、MgドープGaN から成るpコンタクト層9が形成されている。電極10を、膜厚20nmのタンタル(Ta)から成る第1金属層10aと、その第1金属層10aに接合する膜厚80nmのチタン(Ti)から成る第2金属層10bとから成る電極が形成する。この電極は熱処理により抵抗率が低下する。 |
| 公开日期 | 2000-03-21 |
| 申请日期 | 1998-09-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43835]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 豊田合成株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 柴田 直樹,上村 俊也,小出 康夫,等. 窒化ガリウム系化合物半導体素子. JP2000082843A. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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