半導体量子井戸箱の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 永田 久雄; 駒場 信幸 |
| 专利号 | JP1993346601A |
| 著作权人 | 日本板硝子株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体量子井戸箱の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 従来の微細加工技術やエッチング技術を必要としない方法で量子井戸箱を製造する方法を提供する。 【構成】 金属、半導体、酸化物、窒化物あるいは炭化物の島状構造膜を作製したアモルファス基板を用い、結晶成長法を用いてそれら島状構造上に選択的に半導体微結晶を成長する半導体量子井戸箱の製造方法。 |
| 公开日期 | 1993-12-27 |
| 申请日期 | 1992-06-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43843]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本板硝子株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 永田 久雄,駒場 信幸. 半導体量子井戸箱の製造方法. JP1993346601A. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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