Process for vapor phase epitaxy of compound semiconductor
文献类型：专利
| 作者 | OKAHISA, TAKUJI, C/OSUMITOMO ELECTRIC IND. LTD.; SHIMAZU, MITSURU, SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD; MATSUSHIMA, MASATO, SUMITOMO ELECTRIC IND. LTD.; MIURA, YOSHIKI, SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.; MOTOKI, KENSAKU, SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.; SEKI, HISASHI; KOUKITU, AKINORI |
| 专利号 | EP0801156A2 |
| 著作权人 | SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LIMITED |
| 国家 | 欧洲专利局 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | Process for vapor phase epitaxy of compound semiconductor |
| 英文摘要 | The present invention provides a process for forming a high quality epitaxial compound semiconductor layer of indium gallium nitride InxGa1-xN (where, 0 |
| 公开日期 | 1997-10-15 |
| 申请日期 | 1997-03-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43849]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LIMITED |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | OKAHISA, TAKUJI, C/OSUMITOMO ELECTRIC IND. LTD.,SHIMAZU, MITSURU, SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD,MATSUSHIMA, MASATO, SUMITOMO ELECTRIC IND. LTD.,et al. Process for vapor phase epitaxy of compound semiconductor. EP0801156A2. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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