分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法及び分布帰還型半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 武井 清; 渡部 義昭; 陳 農; 竹間 清文 |
| 专利号 | JP1998275959A |
| 著作权人 | PIONEER ELECTRON CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法及び分布帰還型半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 生産効率の良い分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法を提供し、高歩留り、低コスト、高品質な分布帰還型半導体レーザ素子を提供することを目的とする。 【解決手段】 分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法であって、レーザ基板を形成する工程と、レーザ基板上にグレーティングを形成する工程と、グレーティングが形成されたレーザ基板をエッチングすることにより、ストライプ方向にリッジを形成する工程と、電極を形成する工程と、を含むことを特徴とする。 |
| 公开日期 | 1998-10-13 |
| 申请日期 | 1997-03-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43855]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | PIONEER ELECTRON CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 武井 清,渡部 義昭,陳 農,等. 分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法及び分布帰還型半導体レーザ素子. JP1998275959A. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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