窒化物半導体装置
文献类型：专利
| 作者 | 伊藤 国雄; 橋本 忠朗 |
| 专利号 | JP1999274648A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRON CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化物半導体装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 活性層での発熱を直接基板を通して放熱体に逃すことができ、活性層への転位等の欠陥導入が少なく、信頼性の高い窒化物半導体装置を提供する。 【解決手段】 カルコパイライト基板10上に、n-BeXMg1-XSeからなるバッファ層11を成長させる。ここでバッファ層11のxの値は、カルコパイライト基板10との界面付近では、格子定数をカルコパイライト基板10の格子定数と一致させ、バッファ層11成長後ではxの値が1となるように連続的にxの値を変化させる。次に、バッファ層11上に、立方晶系のn-In1-YGaYNからなる層12を成長させ、さらにその上にダブルヘテロ構造、すなわちn-Ga0.9Al0.1Nクラッド層4、In0.02Ga0.98N/In0.15Ga0.85N MQW活性層5、p-Ga0.9Al0.1Nクラッド層6、p-GaNコンタクト層7をそれぞれ成長させる。 |
| 公开日期 | 1999-10-08 |
| 申请日期 | 1998-03-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43856]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRON CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 伊藤 国雄,橋本 忠朗. 窒化物半導体装置. JP1999274648A. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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