光反射構造及びその製造法、並びに光デバイス
文献类型：专利
| 作者 | 川西 英雄; 末松 安晴; 白井 俊雄; 久我 裕一郎; 春山 牧子 |
| 专利号 | JP1996288577A |
| 著作权人 | KAWANISHI HIDEO |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光反射構造及びその製造法、並びに光デバイス |
| 英文摘要 | 【目的】 窒化物半導体で、レーザ発振可能な平滑な光反射面を得る。 【構成】 6H-SiCを基板10とし、その(0,0,0,1)面上に、AlGaN層12、GaN層14及びAlGaN層16をエピタキシャル成長させる。基板10の下側に電極18を、最上層16の上にも電極20をそれぞれ蒸着する。基板10を100μm、以下、好ましくは60μm以下にまで薄くし、(1,-1,0,0)面に平行な方向にメスを立てる。これにより、(1,-1,0,0)面でへき開する。このようにして、光共振のための2つの反射面をへき開により形成し、他の2辺をスクライバで切断する。ここでは、結晶面の表記方法を通常とは若干変更し、例えば、(100)面は、(1,0,0)面と表記し、x軸のマイナス方向に位置してこれと等価な面を(-1,0,0)と表記する。 |
| 公开日期 | 1996-11-01 |
| 申请日期 | 1995-04-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43858]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | KAWANISHI HIDEO |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 川西 英雄,末松 安晴,白井 俊雄,等. 光反射構造及びその製造法、並びに光デバイス. JP1996288577A. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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