化合物半導体多層膜のエッチング方法
文献类型：专利
| 作者 | 丸谷 幸利; 佐原 健志 |
| 专利号 | JP1997102487A |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 化合物半導体多層膜のエッチング方法 |
| 英文摘要 | (修正有) 【課題】 半導体レーザを構成する化合物半導体多層膜のエッチング面の変質を避け、エッチングするパターンの変形を防ぎ、工程が容易で不良品の発生が少ない半導体多層膜のエッチング方法を提供する。 【解決手段】 n型GaAs基板上にn型下部クラッド層4、活性層5、P型の第1上部クラッド層6、光導波層7、第2上部クラッド層8、その両外側にn型電流阻止層11、P型の第3上部クラッド層12とコンタクト層13が形成されたこの多層膜上に、SiO2の下部誘電体層16、下部フォトレジスト層17を形成しハードベーク(高温熱処理)し、その上に中間誘電体層18と上部レジスト層19を形成しソフトベークする。上部レジスト層をパターン化し、そのパターンを異方性ドライエッチングで下部レジスト層に転写し、その転写パターンをさらに下部誘電体層に転写後下部レジスト層を除去し、パターン転写の下部誘電体層をマスクにして前記多層膜をエッチングする。 |
| 公开日期 | 1997-04-15 |
| 申请日期 | 1995-10-04 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43859]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 丸谷 幸利,佐原 健志. 化合物半導体多層膜のエッチング方法. JP1997102487A. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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