II-VI族半導体素子の製法
文献类型：专利
| 作者 | 樋江井 太; 池田 昌夫; 松元 理 |
| 专利号 | JP1995099211A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | II-VI族半導体素子の製法 |
| 英文摘要 | 【目的】 電極コンタクト層としてZnTe層を用いた場合において、充分に電極のオーミックコンタクトの低減化をはかる。 【構成】 基板1上にII-VI族半導体層とこれの上にZnTeによる電極コンタクト層をエピタキシャル成長するII-VI族半導体素子の製法において、電極コンタクト層のエピタキシャル成長工程においてその少なくとも表面層のエピタキシャル成長時における不純物導入を行う不純物供給源11の位置を、それ以前のエピタキシャル成長時における不純物供給源11の位置より基板1側に移動してエピタキシャル成長を行う。 |
| 公开日期 | 1995-04-11 |
| 申请日期 | 1993-09-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43864]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 樋江井 太,池田 昌夫,松元 理. II-VI族半導体素子の製法. JP1995099211A. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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