化合物半導体の形成方法及び半導体装置
文献类型：专利
| 作者 | 河田 雅彦; 後藤 順; 赤松 正一; 皆川 重量 |
| 专利号 | JP1998290048A |
| 著作权人 | HITACHI LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 化合物半導体の形成方法及び半導体装置 |
| 英文摘要 | 【課題】p型GaNをMOCVDを用いて結晶成長するときに生ずる水素とMgとの結合によるp-GaNの高抵抗化を防止する。 【解決手段】レーザ構造のp型クラッド層までをMOCVDで形成し、p-GaNコンタクト層のみをMBEで成長する。また、MBE成長ではMEE法を使い、不純物をIII族元素であるGaと同時に供給し、確実にIII族サイトに留め、アクセプタの補償を防ぐ。 |
| 公开日期 | 1998-10-27 |
| 申请日期 | 1997-04-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43866]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 河田 雅彦,後藤 順,赤松 正一,等. 化合物半導体の形成方法及び半導体装置. JP1998290048A. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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