横方向注入レーザおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 平田 隆昭; 日原 衛 |
| 专利号 | JP1993055685A |
| 著作权人 | 光計測技術開発株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 横方向注入レーザおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 活性層への電流注入がエピタキシャル成長層と平行に行われる横方向注入レーザの素子抵抗を低減する。 【構成】 活性層6に光を閉じ込めるための層4、5、7、8、10を活性層ストライプの両側に沿って薄く形成し、ここに低抵抗の層11を設け、この低抵抗の層11に電極12、13を接続する。 |
| 公开日期 | 1993-03-05 |
| 申请日期 | 1991-08-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43872]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 光計測技術開発株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 平田 隆昭,日原 衛. 横方向注入レーザおよびその製造方法. JP1993055685A. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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