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化合物半導体光分岐素子およびその製造方法

文献类型:专利

作者下中 淳; 河西 秀典; 平松 卓磨
专利号JP1998325912A
著作权人シャープ株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名化合物半導体光分岐素子およびその製造方法
英文摘要【課題】 化合物半導体を用いた光分岐素子では、従来考えられているよりも損失が大きく、また、光の分岐比の制御を精密に行うことが困難であった。従って、本発明では、低損失で光の分岐比の制御性がよい化合物半導体からなる光分岐素子を提供することを目的とする。 【解決手段】 化合物半導体基板上に設けられた化合物半導体からなる2本の光導波路を有し、前記光導波路の交差部に前記光導波路と異なる屈折率を有する化合物半導体からなる埋め込み材料で満たされた埋め込み層を有し、前記埋め込み層の幅が0.5μm以下であることを特徴とする化合物半導体光分岐素子を提供する。
公开日期1998-12-08
申请日期1998-03-12
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43876]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位シャープ株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
下中 淳,河西 秀典,平松 卓磨. 化合物半導体光分岐素子およびその製造方法. JP1998325912A.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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