II-VI族化合物半導体素子の製法
文献类型：专利
| 作者 | 小沢 正文; 中山 典一; 小林 俊雅; 宮嶋 孝夫; 成井 二三代 |
| 专利号 | JP1994310811A |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | II-VI族化合物半導体素子の製法 |
| 英文摘要 | 【目的】 確実に、安定して目的とするII-VI族化合物半導体素子を製造できるようにする。 【構成】 II-VI族化合物半導体素子の製造工程における加熱を伴う処理を400℃以下に選定して目的とするII-VI族化合物半導体素子を作製する。 |
| 公开日期 | 1994-11-04 |
| 申请日期 | 1993-04-23 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43879]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小沢 正文,中山 典一,小林 俊雅,等. II-VI族化合物半導体素子の製法. JP1994310811A. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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