半導体レーザ装置およびその製造方法ならびに光通信システム
文献类型：专利
| 作者 | 稲葉 雄一; 鬼頭 雅弘; 石野 正人 |
| 专利号 | JP1999238938A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置およびその製造方法ならびに光通信システム |
| 英文摘要 | 【課題】 劈開プロセスを省略した簡易な製造工程によって製造され得る半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】 半導体基板101の表面の選択された領域上に半導体多層構造を備える。半導体多層構造の共振器端面として機能する面は、選択エピタキシャル成長によって形成された結晶成長面である。選択成長は半導体基板の表面にマスク102を形成した後に行い、共振器端面は劈開プロセスを経ずに選択制長によって自己整合的に形成される。マスク102の開口部の形状が共振器の構造を規定するのに利用される。 |
| 公开日期 | 1999-08-31 |
| 申请日期 | 1998-02-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43883]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 稲葉 雄一,鬼頭 雅弘,石野 正人. 半導体レーザ装置およびその製造方法ならびに光通信システム. JP1999238938A. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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