面発光レーザ発振装置
文献类型：专利
| 作者 | 内山 誠治 |
| 专利号 | JP1996204283A |
| 著作权人 | 古河電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 面発光レーザ発振装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 簡素な工程で製造でき、しきい値電流の低減及び均一なレーザビームを得ることが出来る面発光レーザ発振装置を提供する。 【構成】 レーザ共振部として、n型半導体層2、真性活性層3、p型半導体層4、及び、真性活性層3を1周期とするエピタキシャル成長層が、多数周期にわたって形成された半導体積層部を採用する。p型半導体層4及びn型半導体層2には、半導体積層部の側方に配置されたp型キャリア供給領域5及びn型キャリア供給領域7から夫々キャリアを供給する。活性層の幅方向及び積層方向について均一なキャリアの分布を可能とし、均一なレーザビームを得ると共に、レーザ光発光に必要なしきい値電流を低減する。 |
| 公开日期 | 1996-08-09 |
| 申请日期 | 1995-01-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43889]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 古河電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 内山 誠治. 面発光レーザ発振装置. JP1996204283A. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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