半導体装置の損傷評価方法および製造方法と、半導体装置の損傷評価装置
文献类型：专利
| 作者 | 山中 通成 |
| 专利号 | JP2007227863A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置の損傷評価方法および製造方法と、半導体装置の損傷評価装置 |
| 英文摘要 | 【課題】半導体装置の製造過程において、エッチングによる構成層のダメージを、非破壊に、且つ、少ない工数を以って統計的に評価することができる半導体装置の損傷評価方法および製造方法と、半導体装置の損傷評価装置を提供する。 【解決手段】半導体装置の損傷評価方法は、半導体基板の一方の主面に対し、第1導電型クラッド層、活性層および第2導電型クラッド層が順に積層され、第2導電型クラッド層の表面における一部領域にリッジが形成され、リッジの側面および第2導電型クラッド層の表面を覆う状態に電流狭窄層が形成されてなる半導体装置あるいはその製造過程における中間物をその測定対象とする評価方法である。そして、第2導電型クラッド層と電流狭窄層との間のpn接合に対し電圧を印加し、pn接合に対し電圧を印加した状態で、第2導電型クラッド層と電流狭窄層との間のpn接合におけるリーク電流を検出する。 【選択図】図4 |
| 公开日期 | 2007-09-06 |
| 申请日期 | 2006-02-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43891]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山中 通成. 半導体装置の損傷評価方法および製造方法と、半導体装置の損傷評価装置. JP2007227863A. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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