III-V 族半導体基板表面の処理方法
文献类型：专利
| 作者 | 伊藤 哲; 樋江井 太; 野口 裕泰; 石橋 晃 |
| 专利号 | JP1996045843A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | III-V 族半導体基板表面の処理方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 III-V 族半導体基板表面を、これの上にII-VI 族化合物半導体層を良好にエピタキシャル成長できるような表面処理を可能にする。 【構成】 III-V 族基板を加熱しながら固体塩素化合物を原料とする分子線を基板表面に照射する表面処理工程を採る。 |
| 公开日期 | 1996-02-16 |
| 申请日期 | 1994-07-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43907]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 伊藤 哲,樋江井 太,野口 裕泰,等. III-V 族半導体基板表面の処理方法. JP1996045843A. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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